SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩，向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能（AI）未来的深邃洞察。此次参展，SK海力士不仅将全面呈现其存储器产品的技术革新，更将焦点对准了下一代AI存储器技术的璀璨前景。
会上，SK海力士将自豪地揭开其下一代AI存储器产品的神秘面纱，包括备受瞩目的12层HBM3E样品，该产品预计将于今年第三季度正式投入量产，其高性能与高效能特性将为AI计算领域带来革命性变化。此外，SK海力士还将展示其前瞻性的研发成果——计划于明年上半年推出的321层NAND闪存，这一技术突破预示着存储密度的巨大飞跃，将为AI数据密集型应用提供更加坚实的支撑。
通过此次展示，SK海力士不仅彰显了其在存储器技术领域的领先地位，更向全球传递了其在AI时代持续创新、引领未来的坚定信念。
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