持续推进,英特尔实现3D先进封装大规模量产

最新消息，就在今天英特尔官方发布公告称，已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，可在2030年后继续推进摩尔定律。可以在芯片产品的性能、尺寸，以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势，还将推动英特尔下一阶段的先进封装技术创新。

英特尔表示，在其最新完成升级的美国新墨西哥州Fab 9工厂，实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括英特尔突破性的3D封装技术Foveros。

据了解，英特尔Foveros是3D先进封装技术，在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。

英特尔的Foveros和EMIB等封装技术，可以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，并在2030年后继续推进摩尔定律。

摩尔定律是Intel创始人之一戈登·摩尔的经验之谈，其核心内容为：

集成电路上可以容纳的晶体管数量，每经过18-24个月便会翻一番，而处理器的性能大约每2年翻一倍，同时价格降低一半。

英特尔CEO帕特·基辛格此前也曾表示，“对于那些宣告我们(摩尔定律)已经死亡的批评者来说，在元素周期表用完之前，我们绝不会停下!”