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AI加速器需求倒逼HBM4量产加速,三家国际存储巨头亮出进度表

发布时间:2026-05-27 11:46:09

人工智能技术的持续创新,不断凸显出一个棘手的现实:算力规模节节攀升,但内存带宽始终是最难攻克的瓶颈之一。随着 AI 模型愈发庞大、复杂度不断提升,能否为加速芯片高速输送数据,已然和算力本身同等重要。高带宽内存(HBM)一直是破解这一难题的核心方案,而其技术演进的下一阶段,便是 HBM4E。

AI 工作负载如今愈发受限于内存带宽。模型训练与推理流程需要持续、稳定地读取海量数据集,内存吞吐一旦出现延迟,硬件利用率便会大幅下降。HBM4E 实现了重大技术升级:它在带宽较 HBM4 提升一倍的同时,保留了 HBM 原本出众的能效与低延迟特性,这也是 HBM 能成为 AI 首选内存的核心原因。


在近期举办的闪存大会上,CFM闪存市场总经理邰炜表示,HBM正快速迭代,HBM3E向HBM4演进,带宽每代接近翻倍。混合键合技术正逐步取代传统微凸块,成为性能升级的核心。特别值得注意的是Base Die的演变——在HBM3E中仅承担信号转接,但HBM4开始部分计算任务下沉至base die,以解决内存墙问题,"Base Die将成为HBM下一代竞争的决胜点"。本文将三星、美光、SK海力士三家在HBM4领域的最新进展汇总。

HBM技术的演进

HBM 从 2014 年量产至今,迭代核心是接口位宽→数据速率→堆叠层数→工艺节点的阶梯式突破,每一代都精准匹配当时 AI 算力需求。

HBM 初代产品采用 1024 位位宽接口。搭载多颗 HBM 显存的加速芯片,会通过独立的 1024 位数据接口分别访问每颗显存。若内存接口速率为 1 吉比特每秒(Gb/s),且外接 4 颗 HBM 显存,整体内存总带宽可达 512 吉字节每秒(GB/s)。

从初代 HBM 一直到 HBM3E,全系产品均沿用 1024 位位宽架构。到了 HBM4,接口位宽直接翻倍至 2048 位,这得益于芯片封装技术同步迭代,为内存接口提供了更多引脚资源。此次架构升级,将带宽性能推至全新高度。

工作在 8 吉比特每秒(Gb/s)速率下的 HBM4,单颗 2048 位接口可实现 2.048 太字节每秒(TB/s)的带宽。若一款加速芯片搭载 6 颗 HBM4 显存,整体总带宽可达 12.3 TB/s。HBM4E 沿用 2048 位接口,并将数据速率提升至 16 Gb/s。同样采用 6 颗显存的配置下,HBM4E 的总带宽达到惊人的 24.6 TB/s。

从技术层面看,HBM3E 带宽约1.2TB/s,HBM4 翻倍至2TB/s,但下一代 AI GPU(如 Rubin Ultra)单芯片需求达3.2–4TB/s,HBM4E 将带宽推至4TB/s,刚好填补缺口。

HBM4E 是 HBM4 的性能增强版,目标是 2027 年量产,直接匹配英伟达 Rubin Ultra、AMD MI500 等下一代 AI 加速器的刚需。

三大存储巨头,最新HBM4量产进程

5月26日,外媒消息,美国存储芯片大厂美光宣布,在第六代高频宽记忆体(HBM4)扩产进展顺利,公司预估2027年开始量产新一代HBM4标准产品。

美光科技全球运营执行副总裁马尼什・巴蒂亚于 5 月 20 日在摩根大通投资者大会上表示,美光 HBM4 的产能爬坡速度,约为去年12 层堆叠 HBM3E产品量产节奏的两倍,良率改善速度也更快。这款产品专为英伟达Vera Rubin AI 计算平台打造。

在市场竞争面看,三星电子与 SK 海力士同样正运用各自的 1c 制程积极开发 HBM4E。三星计划于 2026 年第二季出货首批 HBM4E 样品,其基础芯片将采用三星自家晶圆代工厂的 4nm制程制造。预计HBM4的销量从第三季度开始将占据HBM总销量的一半以上。

SK 海力士则目标在 2026 年下半年向客户提供HBM4E样品,并于 2027 年展开量产,其基础芯片据传也将采用台积电的 3nm制程生产。

为何美光可以扩产顺利?公司认为有三大原因:首先,从过去量产 HBM3 及 HBM3E 产品中所累积的营运经验与学习效应。其次,HBM4 的核心晶粒(core dies)采用了美光目前主力的 10 nm级第五代 1-beta (1β) 制程,该制程的效能与良率已证实相当稳定。还有,美光内部优化的基础芯片(base die),透过将 1β DRAM 与内部自制的基础芯片结合,成功将产品的质量与效能最大化。

据悉,针对HBM4E,美光的生产策略也发生过改变。从核心晶粒切入来看,将改采 10nm级第六代 1-gamma (1γ) 制程生产,这也是美光首个采用 ASML 极紫外光(EUV)微影设备的制程节点,技术层级相当于对手三星和 SK 海力士的 1c 制程。而在基础芯片方面,美光将不再由内部制造,而是转交由晶圆代工伙伴台积电负责生产。

据悉,HBM4E 的开发进展顺利,预期 2027 年就能进入量产阶段。美光首波量产的将是 JEDEC 标准产品,同时这家公司也在筹备针对客户需求量身打造的客制化产品。虽然客制化版本的成本较高,但凭借其提升的效能与额外附加功能,美光预期客户需求将非常强劲。

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