浙江驰拓申请一种韦根器件封装结构专利，增加俘能效率使输出总能量提升

2024年8月21日消息，天眼查知识产权信息显示，浙江大学、浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种韦根器件封装结构“，公开号CN202410315123.8，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种韦根器件封装结构，包括：韦根线，其作为磁芯基于外磁场的变化而产生大巴克豪森效应；感应线圈，其卷绕于所述韦根线，用于生成感应电压并通过外接引脚输出电能；软磁磁珠，其以与感应线圈并排的方式设置于韦根线两端；以及软磁包裹部，其设置于器件外侧，至少部分包裹所述感应线圈，用于诱导回流的磁通量在感应线圈外部进行回流，增加感应线圈内部的有效磁通量变化量。本发明的韦根器件封装结构，通过设置至少部分包裹感应线圈的软磁圆筒或软磁线圈，实现磁通量总变化量的提升，进而增加俘能效率，使输出总能量提升。