台积电申请集成电路芯片及其形成方法专利，有助于形成集成电路芯片

2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“集成电路芯片及其形成方法“，公开号 CN202410497512.7，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，一些实施例是有关于一种形成集成电路芯片的方法，包括：在衬底上方形成第一导线层级；在第一导线层级上方沉积刻蚀停止层；对刻蚀停止层进行刻蚀，以在第一导线层级上方形成开口；在刻蚀停止层上方沉积阻障层，其中阻障层延伸进入开口；在阻障层上方与开口中沉积第一导体层；平坦化第一导体层，以使第一导体层的顶面被平坦化，其中平坦化停止于暴露出阻障层之前；在第一导体层上方沉积资料储存层与第二导体层；以及图案化阻障层、第一导体层、资料储存层与第二导体层，以在开口处形成内存胞元。