从zHBM到HBF！FMS2026上演AI存储变革，新一代技术路线浮出水面

8月4日到6日，在美国加利福尼亚的圣克拉拉会议中心举行存储半导体盛会“FMS 2026”现场人山人海，超过2000名与会者。三星、铠侠、SanDisk都先后展示了最新的存储技术和细节。

FMS 2026是致力于展示内存与存储技术最新进展及其在数据驱动世界中关键作用的顶级国际盛会。本次大会汇聚了全球行业领袖、系统架构师和技术提供商，共同探讨NAND闪存、DRAM及CXL架构的技术创新。

三星展示3D架构zHBM，助力GPU性能提升8倍

三星电子在本次活动中发布了其下一代3D架构“zHBM”，该架构将内存垂直堆叠在AI芯片之上，从而显著提升AI半导体的性能和能效。

三星电子DRAM开发实验室执行副总裁金京伦表示：“智能AI正在将性能要求推向极致。”他补充道：“三星已准备好开发专为每位客户量身定制的zHBM解决方案，以满足其特定需求和架构。”

三星电子重点展示了其“3D技术”（向上堆叠），旨在解决瓶颈问题。在FMS展会上发布的zHBM技术突破了将HBM放置在AI加速器（xPU）旁边的传统做法，直接将HBM堆叠在AI加速器上方，从而缩短数据传输距离。

关键在于尽可能缩短加速器和内存之间的距离。通过将GPU和内存放置得更近，数据传输速度可以提高，而功耗则会降低。据三星电子称，与下一代产品HBM5相比，zHBM可将单个GPU的性能提升高达8倍，能效提升高达3倍。

该公司还发布了新一代NAND解决方案“zNAND-O”。zNAND-O是一款中端存储器，容量大于DRAM，数据传输速度比传统NAND更快。它使人工智能能够快速访问所需信息，而无需将所有数据存储在昂贵的DRAM或HBM中。zNAND-O（提供四层与八层版），专为边缘 AI（Edge AI） 环境优化，具备高空间效率、低延迟与强大 I/O 效能，可支持实时且数据密集型的 AI 应用。

闪存方面，三星推出首款采用晶圆键合技术的 V10 BV-NAND，层数高达 400 层以上。此里程碑架构使内存密度较前代（V9）大幅提升约 58%，并在读写、I/O 效能与能源效率上皆有显著提升，能满足未来 AI 系统的高容量储存需求。

值得关注的是，三星同时公布涵盖 HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM 及企业级储存的 AI 技术路线图。三星在 2026 年 2 月已量产采用 1c DRAM 与 4nm的 HBM4，并于 5 月开始出货 HBM4E 样品。现场亦展示了具内存运算技术、可在内存内处理数据的 LPDDR5X-PIM，以及能应对 AI 数据中心暴增需求的 PM1763、BM1773 等企业储存方案。

SK海力士联合SanDisk发布HBF规范，闪迪推出新一代HBF

8月4日，SK海力士与闪迪联合发布了首个高带宽闪存（HBF）标准规范，这是一种新一代人工智能存储器。与基于DRAM的HBM不同，HBF使用NAND闪存来存储更多数据。随着人工智能推理中需要处理的数据量不断增长，HBF可以弥补HBM速度快但容量有限的不足。

SK海力士和闪迪公布的这项技术规范将NAND芯片堆叠成8层或16层，可实现高达512GB的存储容量和高达3TB/s的数据传输速度。此外，它还采用了一种通用的连接标准，可灵活地与多家公司的AI芯片集成。最大存储容量设定为 512GB，带宽则分为三个性能等级，从 0.4 TB/s 到 3 TB/s 不等。

在FMS大会上，SK海力士高管金春成（Kim Chun-sung）和姜宇松（Kang Uk-song）详细阐述了一种“分层内存（Tiered Memory）”架构，该架构旨在单一系统内连接并优化多种类型的内存。该公司认为，面对新兴的AI智能体（Agentic AI）应用，任何单一的内存技术都无法同时满足其在速度、容量和效率方面的要求。

此外，一场汇集了SK海力士、闪迪（Sandisk）和谷歌DeepMind代表的圆桌会议，还将探讨HBF（高带宽闪存）重塑AI内存架构的潜力。

SK海力士解决方案开发负责人兼执行副总裁金春成表示：“随着AI应用的迅速普及，我们正处于必须重新设计整体数据处理结构的转折点。通过HBF技术，SK海力士将打破内存与存储之间的界限，助力构建能够提升整体系统效率的新型架构。”

8 月 6 日，SanDisk（闪迪）宣布在 2026 年未来存储大会 (FMS) 上推出用于人工智能 (AI) 应用的下一代 NAND 技术。

此次展示的技术包括高带宽闪存 (HBF)、新一代 NAND 产品和企业级固态硬盘 (SSD)。这些解决方案专为人工智能计算环境而设计。HBF是一种基于 NAND 闪存的存储技术。与高带宽内存 (HBM) 类似，它通过垂直堆叠 NAND 芯片来提高数据传输速度。由于采用 NAND 闪存，该技术在提供高带宽性能的同时，还比 DRAM 具有更高的容量可扩展性。HBF 专为需要高带宽和大容量内存的大规模 AI 推理工作负载而设计。

在企业级固态硬盘 (SSD) 领域，SanDisk 将展示基于 PCI Express (PCIe) 6.0 标准的产品。这些 SSD 采用 E3.S 外形尺寸设计，这是下一代服务器存储规范。这些产品针对 KV 缓存应用增强了耐用性，并降低了板载 DRAM 的需求，从而最大限度地提高了存储容量。SSD 内部的 DRAM 通常用于存储映射表，以跟踪存储数据的位置。

该公司还将推出其AI数据周期框架，这是SanDisk专有框架的增强版，旨在全面了解AI工作负载的存储需求。AI存储系统可用于原始数据归档、高速数据湖、模型训练、推理和生成式内容存储库等功能。

铠侠和闪迪联合发布新一代QLC 3D闪存技术，332层QLC，密度提升60%

8月4日，铠侠（Kioxia）和闪迪这两家联手多年的老搭档，在FMS 2026上共同发布了新一代QLC 3D闪存技术，332层堆叠、位密度超37Gb每平方毫米、接口速率4.8Gbps，相比第八代产品密度直接拉升60%。

此次发布的新技术，核心亮点在于应用了CBA的键合工艺，CBA的全称是CMOS直接键合到阵列，就是把CMOS逻辑电路和存储阵列分开，各自在不同的晶圆上制造，然后用高精度的晶圆对位技术把它们键合在一起。新技术搭载了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，成为业界首款NAND接口速率达到4.8Gbps的QLC 3D闪存。

针对现代AI与云基础设施面临的功耗和散热挑战，新一代技术在接口层面进行了多项优化，大幅提升了I/O数据输出的传输能效，为缓解当前大型数据中心的能耗压力提供了直接的解决方案。

写在最后

在FMS 2026（闪存峰会）上，存储技术的创新趋势发生了显著转变。行业焦点从过去单纯的“存储层数竞赛”全面转向了“如何打破AI时代的内存与存储瓶颈”。各大存储巨头围绕AI算力需求，开辟了多条差异化的技术路线。开辟全新存储层级HBF，三星半导体着力于架构和工艺创新，展示了zHBM的概念和V10 BV-NAND,慧荣科技（Silicon Motion）、铠侠等厂商展示了新一代PCIe Gen6企业级SSD控制器,为SSD的规模化量产铺平道路，支持高达28 GB/s的顺序吞吐量。

除了云端数据中心，端侧AI存储也迎来了架构革新。国内厂商江波龙以“端侧AI 存储聚变”为主题，展示了针对AI BOX、AI PC和AI Mobile的存储方案。其核心趋势是打破传统存储与内存的资源壁垒，通过软硬件协同，让存储从单纯的数据载体进化为端侧AI的算力支撑中枢与资源调度核心。